一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，通过先去除倒装发光二极管的蓝宝石衬底，再黏附于保护膜上，藉由溅镀技术在倒装发光二极管的微结构之上形成一Al₂O₃薄层，制得超薄LED芯片，从而大大降低热阻，并可降低整体LED封装体大小及封装成本；此外，薄膜发光二极管可实现无金线互联，提高封装可靠性，降低封装成本；再者，由于去除了较厚的蓝宝石衬底，减少了光线在蓝宝石衬底内的损失，更加有利于光提取率。

主权项

一种薄膜氮化镓基发光二极管的制备方法，包括以下工艺步骤：（1）提供一蓝宝石衬底；（2）在所述蓝宝石衬底上形成发光外延层；（3）在所述发光外延层上制作电极，形成倒装发光二极管；（4）将所述倒装发光二极管倒置，黏附于保护膜上，使得蓝宝石衬底朝上；（5）去除所述蓝宝石衬底，裸露出所述发光外延层；（6）采用溅镀工艺在所述发光外延层上沉积一Al₂O₃薄层；（7）去除所述保护膜，并将所述倒装发光二极管再次倒置，制得薄膜氮化镓基发光二极管。