发明名称 一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法
摘要 本发明属于热释电薄膜材料领域和太赫兹探测领域,提供一种具有β晶相的聚偏氟乙烯(PVDF)纳米薄膜的制备方法,首先将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中,超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液;再将制膜溶液静置脱泡;再采用旋涂法制备湿膜;最后在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶,即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。本发明一方面通过掺杂GO提高PVDF中β晶相的含量,另一方面采用旋涂工艺制备PVDF纳米薄膜;制备工艺简单易于控制、设备要求低、成本低廉,能在普通大气条件下制备,制备的PVDF薄膜均匀、平整、致密性好、热释电性能稳定,为薄膜材料热释电太赫兹探测器的研制提供有力支持。
申请公布号 CN105037761A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510392607.3 申请日期 2015.07.06
申请人 电子科技大学 发明人 王军;谢盼云;唐荣;陈沛丞;苟君
分类号 C08J5/18(2006.01)I;C08L27/16(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I 主分类号 C08J5/18(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 李明光
主权项 一种具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1.将氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有机溶剂中,超声并磁力搅拌得到分散均匀的制膜溶液,其中氧化石墨烯、聚偏氟乙烯及有机溶剂的质量百分比组成为:氧化石墨烯:0.1‑1wt%,聚偏氟乙烯:5‑10wt%,有机溶剂:89‑94wt%;步骤2.将制膜溶液静置脱泡;步骤3.采用旋涂法制备湿膜;步骤4.在大气环境下热处理使薄膜干燥并结晶,即制备得具有β晶相的聚偏氟乙烯纳米薄膜。
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