发明名称 DETEKTION DES NULLDURCHGANGS DES LASTSTROMS IN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG
摘要 <p>Schaltungsanordnung, die aufweist: einen rückwärts leitenden Transistor (T1) mit einer Gateelektrode (G) und einem Laststrompfad (C-E) zwischen einer Emitter-(E) und einer Kollektorelektrode (C), wobei der Transistor (T1) dazu ausgebildet ist, einen Laststrom (IL) in einer Vorwärtsrichtung und in einer Rückwärtsrichtung durch den Laststrompfad (C-E) zu leiten und durch ein entsprechendes Signal an der Gateelektrode (G) aktiviert oder deaktiviert zu werden; eine Gatesteuereinheit (10), die mit der Gateelektrode (G) verbunden ist und dazu ausgebildet ist, den Transistor (T1) über die Gateelektrode (G) zu deaktivieren oder eine Aktivierung des Transistors (T1) zu verhindern, wenn sich der Transistor (T1) in einem rückwärts leitenden Zustand befindet; und eine Überwachungseinheit, die dazu ausgebildet ist, einen plötzlichen Anstieg einer Kollektor-Emitter-Spannung (VCE) des rückwärts leitenden Transistors (T1) zu detektieren, der auftritt, wenn der Laststrom (IL) durch den Transistor Null durchquert, während der Transistor (T1) durch die Gatesteuereinheit (10) deaktiviert ist oder während durch diese eine Aktivierung verhindert wird.</p>
申请公布号 DE102012217709(B4) 申请公布日期 2015.11.05
申请号 DE201210217709 申请日期 2012.09.28
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DOMES, DANIEL
分类号 H03K17/567;H02M1/08 主分类号 H03K17/567
代理机构 代理人
主权项
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