| 发明名称 | 一种晶体二氧化硅/碳多孔复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体二氧化硅/碳多孔复合材料及其制备方法。三维网状晶体二氧化硅均匀分布在碳颗粒表面构成该晶体二氧化硅/碳多孔复合材料，其中的二氧化硅为四方晶体，属于P4<sub>1</sub>2<sub>1</sub>2空间群，a＝b＝4.973，c＝6.924；该晶体二氧化硅/碳多孔复合材料的孔隙率为40-80％，中位孔径为100-2000nm，电阻率为0.10-80Ω·cm，该晶体二氧化硅/碳多孔复合材料中二氧化硅的质量百分含量为30-90％，碳材料的质量百分含量为10-70％。其制备方法至少包含以下步骤：混合：将二氧化硅颗粒、碳材料以及助熔剂混合均匀，制成粉末状混合物；成型：将粉末状混合物成型制成多孔块体；烧结：将所获得的多孔块体在惰性气氛中经高温热处理除去助熔剂后得到三维网状晶体二氧化硅/碳多孔复合材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105018956A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201410182981.6 | 申请日期 | 2014.04.30 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 杨娟玉;卢世刚;康志君;史碧梦;王宁 |
| 分类号 | C25B1/00(2006.01)I;C25B11/03(2006.01)I;C25B11/04(2006.01)I;C30B29/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I | 主分类号 | C25B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘秀青;熊国裕 |
| 主权项 | 一种晶体二氧化硅/碳多孔复合材料，其特征在于：三维网状晶体二氧化硅均匀分布在碳颗粒表面构成该晶体二氧化硅/碳多孔复合材料，其中的二氧化硅为四方晶体，属于P4<sub>1</sub>2<sub>1</sub>2空间群，a＝b＝4.973，c＝6.924；该晶体二氧化硅/碳多孔复合材料的孔隙率为40‑80％，中位孔径为100‑2000nm，电阻率为0.10‑80Ω·cm，该晶体二氧化硅/碳多孔复合材料中二氧化硅的质量百分含量为30‑90％，碳材料的质量百分含量为10‑70％。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||