| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s)，该半导体装置中，氧化物半导体层(7)包含第一金属元素，导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造，该层叠构造包括：包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1)；配置在第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层(m2)；和配置在第二金属氧化物层上且包含第二金属元素的金属层(M)，第一金属氧化物层(m1)和氧化物半导体层(7)由同一氧化物膜形成，在从基板的法线方向看时，第一金属氧化物层(m1)与所述氧化物半导体层(7)不重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105027296A | 申请公布日期 | 2015.11.04 |
| 申请号 | CN201480012341.9 | 申请日期 | 2014.02.25 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 北角英人 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;杨艺 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其包括：基板；和由所述基板支承的氧化物半导体层和导电体层，所述半导体装置的特征在于：所述氧化物半导体层包含第一金属元素，所述导电体层具有层叠构造，所述层叠构造包括：包含所述第一金属元素的第一金属氧化物层；配置在所述第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层；和配置在所述第二金属氧化物层上且包含所述第二金属元素的金属层，所述第一金属氧化物层和所述氧化物半导体层由同一氧化物膜形成，在从所述基板的法线方向看时，所述第一金属氧化物层与所述氧化物半导体层不重叠。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||