发明名称 |
对具有有限耐写性的高速缓存的集间损耗矫平 |
摘要 |
高速缓存控制器包括第一寄存器,该第一寄存器在对高速缓存存储器中的数个高速缓存集的每一次存储器位置交换操作之后更新,并且每N-1次存储器位置交换操作就复位。N是该高速缓存存储器中的高速缓存集的数目。该存储器控制器还具有第二寄存器,该第二寄存器在每N-1次存储器位置交换操作后更新,并且每(N<sup>2</sup>-N)次存储器位置交换操作就复位。第一和第二寄存器跟踪这些高速缓存集的逻辑位置和物理位置之间的关系。 |
申请公布号 |
CN105009093A |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
CN201480009440.1 |
申请日期 |
2014.02.12 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
X·董 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I;G06F12/08(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
袁逸 |
主权项 |
一种用于对高速缓存存储器进行损耗矫平的方法,包括:通过在对所述高速缓存存储器的存储器写操作的数目达到阈值时对高速缓存集执行多个存储器位置交换操作来动态地轮转所述高速缓存存储器的高速缓存集,每个交换操作包括仅清除来自经交换的高速缓存集的内容,而保持其他高速缓存集的存储器内容完好;以及跟踪所述经交换的高速缓存集以将逻辑高速缓存集号转换成物理高速缓存集号。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |