| 发明名称 | 圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材和其制造方法 | ||
| 摘要 | 得到无裂纹、破裂、无相对密度和Ga浓度的波动的圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材。使用热等静压法，在厚度为1.0mm以上且小于3.5mm的圆筒形的包套(1)中以填充密度为60％以上的方式填充Cu-Ga合金粉末或Cu-Ga合金成型体，进行热等静压，从而得到Cu-Ga合金烧结体。 | ||
| 申请公布号 | CN105008578A | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201380071399.6 | 申请日期 | 2013.10.11 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 高桥辰也;山岸浩一 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种圆筒形Cu‑Ga合金溅射靶材，其特征在于，Ga的量以重量比计为20～40质量％，余量包含Cu和不可避免的杂质，所述圆筒形Cu‑Ga合金溅射靶材的相对密度为99％以上、相对密度的波动为1.0％以内、Ga浓度的波动为1.0质量％以内。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||