处理含矽与氧层的方法

主权项

一种处理一图案化基材上之一含矽与氧层的方法，该图案化基材具有一窄沟槽与一凹陷开放区域，该方法包含下列步骤：藉由化学气相沉积形成一不含碳之含矽与氮层于该图案化基材上，包括在该窄沟槽中与在该凹陷开放区域中，并且将该不含碳之含矽与氮层转换成该含矽与氧层；平坦化该含矽与氧层，而留下一窄间隙填充部分于该窄沟槽中与一宽间隙填充部分于该凹陷开放区域中，其中平坦化该含矽与氧层之步骤系包含移除该窄沟槽上方之该含矽与氧层之一部分及暴露一后平坦化介电质界面，其中该后平坦化介电质界面系比一相应之预平坦化介电质界面更靠近该窄沟槽；及在该平坦化操作后，处理该基材，以增加该窄间隙填充部分之密度，其中更靠近该窄沟槽之该后平坦化介电质界面系容许该窄间隙填充部分变得比该基材在该平坦化操作前被处理更致密。