| 发明名称 | 一种基于退火调节的电阻式存储器及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种基于退火调节的电阻式存储器，包括薄膜基底（1）、单根微纳米材料（2）、金属电极（3）、铜导线（4），单根微纳米材料（2）放于薄膜基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极再焊接铜导线（4）；所述的薄膜基底为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜材料，所述的单根微纳米材料为四棱柱状的硫化铅材料，所述的金属电极是银电极；所述的电阻式存储器为两端都不退火、一端退火或两端都退火。本发明的柔性结构具有良好的电阻开关性能，可作为持久性存储器件使用，器件的制作工艺简单，有利于实际应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104993048A | 申请公布日期 | 2015.10.21 |
| 申请号 | CN201510363761.8 | 申请日期 | 2015.06.25 |
| 申请人 | 南昌大学 | 发明人 | 欧阳腾飞;程抱昌;郑见平 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人 | 施秀瑾 |
| 主权项 | 一种基于退火调节的电阻式存储器，其特征是包括薄膜基底（1）、单根微纳米材料（2）、金属电极（3）、铜导线（4），单根微纳米材料（2）放于薄膜基底（1）上，其两端焊接金属电极（3），金属电极再焊接铜导线（4）；所述的薄膜基底为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜材料，所述的单根微纳米材料为四棱柱状的硫化铅材料，所述的金属电极是银电极；所述的电阻式存储器为两端都不退火、一端退火或两端都退火。 | ||
| 地址 | 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 | ||