发明名称 |
鳍式场效电晶体可变电容电路及其形成方法;FINFET VARACTOR CIRCUIT AND THE FROMING METHOD THEREOF |
摘要 |
本发明系有关于鳍式场效电晶体(FinFET)可变电容电路,FinFET可变电容电路具有被配置以控制FinFET可变电容之电压与电容值之关系之一或多个控制元件,且以上控制操作无须改变FinFET MOS可变电容制程中所使用参数。FinFET可变电容电路包括具有第一端和第二端之FinFET可变电容,其中第一端包括FinFET MOS可变电容之闸极端,且第二端包括FinFET MOS可变电容之相连接的汲极端和源极端。一或多个控制元件被连接至FinFET MOS可变电容之第一端或第二端,以及被配置以改变FinFET MOS可变电容之一或多个操作特性。藉由使用控制元件改变FinFET MOS可变电容之一或多个操作特性,可在无须改变FinFET MOS可变电容制程中所使用参数的情形下调整FinFET MOS可变电容之特性。 |
申请公布号 |
TW201539664 |
申请公布日期 |
2015.10.16 |
申请号 |
TW103146207 |
申请日期 |
2014.12.30 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
谢协宏 HSIEH, HSIEH HUNG;刘懿萱 LIU, YI HSUAN;周淳朴 JOU, CHEWN PU |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/08(2006.01);H03B5/12(2006.01);H03L7/099(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 TW |