一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在PMOS的沟道长度方向设置扩散阻挡层之后，进行扩散地形工程处理，可以在提高NMOS的沟道长度方向、NMOS的沟道宽度方向以及PMOS的沟道宽度方向的张应力的同时，阻挡对PMOS的沟道长度方向的张应力增强作用，因而可以提高NMOS和PMOS器件的性能，进而提高整个半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义有源区；步骤S102：在所述半导体衬底上形成扩散阻挡层；步骤S103：对所述扩散阻挡层进行刻蚀，保留所述扩散阻挡层位于PMOS的沟道长度方向的部分，去除所述扩散阻挡层位于其他区域的部分；步骤S104：进行扩散地形工程处理以提高NMOS的沟道长度方向、NMOS的沟道宽度方向以及PMOS的沟道宽度方向的张应力，其中，所述扩散阻挡层被保留的部分抑制所述扩散地形工程处理对PMOS的沟道长度方向的张应力增强作用。