| 摘要 |
<p>본 발명은 특히 3층 레지스트 프로세스용 하층막으로서 반사율을 저감할 수 있고(반사방지막으로서의 최적의 n, k 값을 지니고), 매립 특성이 우수하여, 패턴 굴곡 내성이 높고, 특히는 60 nm보다도 가는 높은 종횡 라인에 있어서의 에칭 후의 라인의 붕괴나 비틀림의 발생이 없는 하층막을 형성할 수 있는 레지스트 하층막 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적은 적어도 하기 화학식(1-1) 및/또는 화학식(1-2)으로 나타내어지는 1 종류 이상의 화합물 및 하기 화학식(2)으로 나타내어지는 1종 이상의 화합물 및/또는 그 등가체를 축합함으로써 얻어지는 폴리머를 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 하층막 재료에 의해 이루어진다.OHC-X-CHO(2)</p> |
