发明名称 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法
摘要 本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法;包括如下的步骤:首先、切取单晶硅棒中多余的单晶;其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。
申请公布号 CN104960100A 申请公布日期 2015.10.07
申请号 CN201510331104.5 申请日期 2015.06.15
申请人 杭州海纳半导体有限公司 发明人 郑欢欣;王伟棱;潘金平;饶伟星
分类号 B28D5/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I 主分类号 B28D5/02(2006.01)I
代理机构 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人 金祺
主权项 一种提高单晶硅棒利用率的加工方法;其特征是:包括如下的步骤:首先、切取单晶硅棒中多余的单晶;其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。
地址 310052 浙江省杭州市滨江区信诚路99号