| 主权项 |
一种半导体记忆体储存装置，包括：多个储存格，用于储存资料；至少两个存取控制线，其各者用于控制该多个储存格中之一各自的至少一个储存格的存取；至少两个存取控制电路，其各者用于回应于一存取请求，控制供应至该至少两个存取控制线中之一相对应的存取控制线的一电压位准，该至少两个存取控制电路之各者包括一电容及切换电路；路由电路，用于取决于与该存取请求相关联的一位址，路由该存取请求及一升压讯号至该至少两个存取控制电路中之一选定的存取控制电路；其中该至少两个存取控制电路之各者对以下作出反应：从该路由电路接收到该存取请求，致使将该相对应的存取控制线连接至一供应电压；及从该路由电路接收到该升压讯号，致使将该供应电压从该相对应的存取控制线断开，且透过该存取控制电路的该电容将该升压讯号耦合至该相对应的存取控制线，以提供在该相对应的存取控制线上对一电压位准的一升压，其中该至少两个存取控制电路之各者经配置成回应于藉由该存取控制电路接收到该存取请求，而预先充电该存取控制电路的该电容。
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