半导体装置及其制造方法

主权项

一种半导体装置，包含：在绝缘表面上之包括结晶区域的氧化物半导体层；与该氧化物半导体层电接触的源极电极层和汲极电极层；覆盖该氧化物半导体层、该源极电极层、和该汲极电极层的闸极绝缘层；以及在该结晶区域上的闸极电极层，且该结晶区域和该闸极电极层之间夹有该闸极绝缘层，其中该结晶区域包括c轴对准于实质垂直于该氧化物半导体层的表面之方向的晶体。