| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR PROCESS WITH IMPROVED SUPPRESSION OF PARASITIC TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB8829657(D0) |
申请公布日期 |
1989.02.15 |
| 申请号 |
GB19880029657 |
申请日期 |
1988.12.20 |
| 申请人 |
UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/316;H01L21/765;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/72 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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