| 发明名称 |
EPITAXIAL MAGNESIUM OXIDE AS BUFFER LAYER FOR FORMING NEXT LAYER ON TETRAHEDRON SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05327034(A) |
申请公布日期 |
1993.12.10 |
| 申请号 |
JP19920310399 |
申请日期 |
1992.11.19 |
| 申请人 |
XEROX CORP |
发明人 |
DEIBITSUDO KEI FUOOKU;NASHIMOTO KEIICHI |
| 分类号 |
C30B25/18;C30B29/22;H01L21/36;H01L39/02;H01L39/24;(IPC1-7):H01L39/02 |
主分类号 |
C30B25/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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