| 发明名称 | 用于沟道隔离的斜角注入 | ||
| 摘要 | 用于沟道隔离的斜角注入。一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。 | ||
| 申请公布号 | CN101521217A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910132434.6 | 申请日期 | 2004.03.12 |
| 申请人 | 微米技术有限公司 | 发明人 | H·E·罗德斯;C·穆利 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/078(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蒋 骏 |
| 主权项 | 1. 一种用于像素传感器单元的沟道隔离结构，包括：形成在衬底中的介质材料；以及位于邻近所述高介质材料的至少一个侧壁并与光传感器区域接触的注入区。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||