发明名称 Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Ausführungen beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Verfahren zum Ausbilden eines Bildsensors. Gemäß Ausführungen kann ein Bildsensor ein erstes Substrat und eine Fotodiode enthalten. Ein Schaltkreis, der eine Metall-Verbindung enthält, kann auf und/oder über dem ersten Substrat ausgebildet werden. Die Fotodiode kann über einem ersten Substrat ausgebildet werden und kann die Metall-Verbindung kontaktieren. Der Schaltkreis des ersten Substrats kann einen ersten Transistor, einen zweiten Transistor, einen elektrischen Sperrschicht-Bereich und einen Bereich eines ersten Leitungstyps enthalten. Der erste und der zweite Transistor kann über dem ersten Substrat ausgebildet werden. Gemäß Ausführungen kann ein elektrischer Sperrschicht-Bereich zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor ausgebildet werden. Der Bereich des ersten Leitungstyps kann an einer Seite des zweiten Transistors ausgebildet werden und kann mit der Metall-Verbindung verbunden werden.
申请公布号 DE102008063739(A1) 申请公布日期 2009.07.23
申请号 DE200810063739 申请日期 2008.12.18
申请人 DONGBU HITEK CO. LTD. 发明人 SHIM, HEE SUNG;KIM, SEOUNG HYUN;HWANG, JOON;KIM, KWANG SOO;HAN, JIN SU
分类号 H01L27/146;H01L21/768;H01L21/8236;H01L31/0232;H01L31/18 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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