发明名称 |
Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Ausführungen beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Verfahren zum Ausbilden eines Bildsensors. Gemäß Ausführungen kann ein Bildsensor ein erstes Substrat und eine Fotodiode enthalten. Ein Schaltkreis, der eine Metall-Verbindung enthält, kann auf und/oder über dem ersten Substrat ausgebildet werden. Die Fotodiode kann über einem ersten Substrat ausgebildet werden und kann die Metall-Verbindung kontaktieren. Der Schaltkreis des ersten Substrats kann einen ersten Transistor, einen zweiten Transistor, einen elektrischen Sperrschicht-Bereich und einen Bereich eines ersten Leitungstyps enthalten. Der erste und der zweite Transistor kann über dem ersten Substrat ausgebildet werden. Gemäß Ausführungen kann ein elektrischer Sperrschicht-Bereich zwischen dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor ausgebildet werden. Der Bereich des ersten Leitungstyps kann an einer Seite des zweiten Transistors ausgebildet werden und kann mit der Metall-Verbindung verbunden werden.
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申请公布号 |
DE102008063739(A1) |
申请公布日期 |
2009.07.23 |
申请号 |
DE200810063739 |
申请日期 |
2008.12.18 |
申请人 |
DONGBU HITEK CO. LTD. |
发明人 |
SHIM, HEE SUNG;KIM, SEOUNG HYUN;HWANG, JOON;KIM, KWANG SOO;HAN, JIN SU |
分类号 |
H01L27/146;H01L21/768;H01L21/8236;H01L31/0232;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L27/146 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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