位于介层窗阵列中并具有自对准且自收敛底电极之相变化记忆胞及其制造方法

摘要

本发明系有关于一种蕈状相变化记忆胞阵列，其系藉由形成一分离层于一接点阵列之上、形成一隔离层于分离层之上、以及藉由微影制程形成一记忆元件开口阵列于隔离层之中而完成。蚀刻幕罩系形成于记忆元件开口中，其形成方法系补偿了记忆元件开口的尺寸变化，因为开口的尺寸变化会受到微影制程的影响。蚀刻幕罩系用以蚀刻穿过分离层以定义一电极开口阵列。电极材料系沈积于电极开口之中；以及记忆元件系形成于记忆元件开口中。这些记忆元件以及底电极系为自动对准的。