非挥发性半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种可提高于绝缘体中蓄积电荷之非挥发性记忆体之资料保持特性的技术。将插入于储存闸电极MG与半导体基板1之间之电荷蓄积层CSL，形成得短于储存闸电极MG之闸极长度或绝缘膜6t、6b之长度，使电荷蓄积层CSL与源极区域Srm之重叠量(Lono)不足40 nm。藉此，于写入状态下，反覆覆写而产生之蓄积于源极区域Srm上之电荷蓄积层CSL中之电洞变少，局部存在于电荷蓄积层CSL中之电子与电洞于横方向上的移动减少，因此，可减小高温保持时之临限值电压之变动。又，若将有效通道长度设为30 nm以下，则决定临限值电压之外观上之电洞将减少，电荷蓄积层CSL中电子与电洞之结合将变少，故而可减小室温保持时之临限值电压之变动。