共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器

摘要

本发明公开了一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，该探测器是在常规的多量子阱层的每个周期后端加入一个共振隧穿双势垒结构。这种结构的优点是：可对量子阱红外探测器的暗电流显著抑制而光电流显著增强，从而实现对探测器的探测率提高。

主权项

1.一种共振隧穿增强铟镓砷/镓砷量子阱红外探测器，包括：GaAs衬底(1)，在GaAs衬底上依次排列生长n型重掺杂的GaAs下电极层(2)、由多个周期交替排列的GaAs/AlxGa1-xAs/InxGa1-xAs量子阱结构层、AlxGa1-xAs/InxGa1-xAs双势垒共振隧穿结构层和一层非掺杂GaAs势垒层(308)组成的多量子阱层(3)、n型重掺杂的GaAs上电极层(4)；其特征在于：所说的GaAs/AlxGa1-xAs/InxGa1-xAs量子阱结构层为依次排列的非掺杂GaAs势垒层(301)，InxGa1-xAs非掺杂量子阱层(302)，其中x＝0.09～0.11，非掺杂AlxGa1-xAs势垒层(303)，其中x＝0.04～0.06，InxGa1-xAs掺杂量子阱层(304)，其中x＝0.14～0.16；所说的AlxGa1-xAs/InxGa1-xAs双势垒共振隧穿结构层为依次排列的非掺杂AlxGa1-xAs势垒层(305)，其中x＝0.39～0.41，非掺杂InxGa1-xAs量子阱层(306)，其中x＝0.14～0.16，非掺杂AlxGa1-xAs势垒层(307)，其中x＝0.39～0.41。