非易失半导体存储器件及其数据擦除方法

摘要

在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。

主权项

1、一种适用于非易失半导体存储器件的数据擦除方法，包括：通过执行编程，将多个存储单元的阈值设置为电压编程检验电平或以上，该编程是通过对所述存储单元施加电压进行的；通过对所述存储单元进行数据擦除处理，将所述存储单元的阈值设置为电压擦除检验电平或以下，该电压擦除检验电平低于所述电压编程检验电平；通过对所述存储单元中阈值低于电压过擦除检验电平的一个或多个存储单元施加低于在编程中所施加电压的电压，只进行一次弱编程，所述电压过擦除检验电平低于电压擦除检验电平；在所述存储单元中在只执行一次弱编程之后其阈值仍然低于所述电压过擦除检验电平的一个或多个存储单元上重复进行弱编程，直到所述一个或多个存储单元的阈值被设置为等于或高于所述电压过擦除检验电平为止；和检验存储单元是否包括其阈值高于电压擦除检验电平的一个或多个存储单元，当检验到存储单元包括其阈值高于电压擦除检验电平的一个或多个存储单元时，将待执行的处理返回至将存储单元的阈值设置为电压擦除检验电平或以下，其中每个存储单元包括含有控制栅、浮栅、源极和漏极的场效应晶体管，并且在弱编程中，比在编程中所施加电压低的电压施加于所述每个存储单元的场效应晶体管的控制栅和漏极中的至少一个上，从而升高所述每个存储单元的阈值，升高的程度小于编程中的升高程度。