| 发明名称 | 清洁半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种清洁晶片(1)的表面(3)的方法，该方法包括热清洗步骤，其中晶片(1)处于比室温至少高10℃的温度，围绕与晶片表面(3)垂直的轴旋转晶片(1)，并且将水分送在晶片表面(3)上。然后，执行第一干燥步骤，其中围绕与晶片表面(3)垂直的轴旋转晶片(1)，其中环境的湿度是使得部分地去除晶片表面(3)上的水，而晶片表面(3)仍然覆盖水膜(13)。第一干燥步骤之后，执行第二干燥步骤，所述第二干燥步骤从晶片表面(3)去除水膜(13)。根据本发明的方法有利地减少了晶片表面(3)上的金属离子污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101405835A | 申请公布日期 | 2009.04.08 |
| 申请号 | CN200780009538.7 | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 英格丽德·林克;德克·M·诺特;吉伯特·P·A·诺伊 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种清洁晶片(1)的表面(3)的方法，所述方法包括如下步骤：第一步骤，包括热清洗，其中晶片(1)处于比室温至少高10℃的温度，围绕与晶片表面(3)垂直的轴旋转晶片(1)，并且将水分送在晶片表面(3)上；第二步骤，其中晶片(1)围绕与晶片表面(3)垂直的轴旋转，其中晶片表面(3)上的水的蒸发速率使得主要通过晶片(1)的旋转从晶片表面(3)去除水，而晶片表面(3)仍然由水膜(13)覆盖；以及第三步骤，从晶片表面(3)去除水膜(13)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||