发明名称 Fotolithographisch strukturierter Dickschichtsensor
摘要 <p>Bei einem Sensor, insbesondere Impedanzsensor, z. B. Rußsensor, der zwei voneinander elektrisch isolierte Elektroden aufweist, wobei wenigstens eine äußere Elektrode aus einem Verbund aus Metall und anorganischem Oxid als Schichtmuster mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 µm ausgebildet ist, beträgt erfindungsgemäß die Bahnbreite des Schichtmusters und der Abstand zwischen den Bahnen 5 bis 70 µm und der Randbereich schwankt um die Leiterbahnkante weniger als 10 µm. Beide Elektroden können in einer Ebene als Schichtmuster nebeneinander angeordnet werden. Der Sensor weist vorzugsweise einen Heizer auf. Zur Massenproduktion werden Elektroden auf elektrisch isolierenden oxidischen Untergründen zu einem Schichtmuster mit einer Schichtdicke von 0,5 bis 20 µm erzeugt und die Elektroden nach vollflächigem Aufdrucken einer Metallpulver und Oxid aufweisenden Paste aus der gedruckten Schicht zu Bahnen besonders genau strukturiert. Insbesondere wird die Schichtdicke der gedruckten Schicht reduziert.</p>
申请公布号 DE102009020743(A1) 申请公布日期 2010.12.09
申请号 DE20091020743 申请日期 2009.05.11
申请人 HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH 发明人 WIENAND, KARLHEINZ;ASMUS, TIM;MAIER, ANGELA;ULLRICH, KARLHEINZ
分类号 G01N27/04 主分类号 G01N27/04
代理机构 代理人
主权项
地址