发明名称 |
热发射电子源及其制备方法 |
摘要 |
一种热发射电子源包括碳纳米管长线,其中,该热发射电子源进一步包括低逸出功材料颗粒,该低逸出功材料颗粒至少部分填充于碳纳米管长线内。一种热发射电子源的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管阵列形成于一基底;采用一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取碳纳米管获得一碳纳米管薄膜;提供一含有低逸出功材料或低逸出功材料前驱物的溶液,采用此溶液浸润上述碳纳米管薄膜,形成一碳纳米管长线;烘干该碳纳米管长线;激活烘干后的碳纳米管长线,得到热发射电子源。 |
申请公布号 |
CN101465254B |
申请公布日期 |
2010.12.08 |
申请号 |
CN200710125263.5 |
申请日期 |
2007.12.19 |
申请人 |
北京富纳特创新科技有限公司;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
肖林;柳鹏;刘亮;姜开利;魏洋;潜力;范守善 |
分类号 |
H01J1/13(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01J1/13(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种热发射电子源包括碳纳米管长线,其特征在于,该热发射电子源进一步包括低逸出功材料颗粒,所述的低逸出功材料为氧化钡、氧化锶、氧化钙、硼化钍、硼化钇或其任意组合的混合物,该低逸出功材料颗粒至少部分填充于碳纳米管长线内。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学学研综合楼B座1115号 |