半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于：上述等离子体处理包括利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。利用本发明，能够解决由于等离子体处理而产生的抗蚀剂掩模倾斜的问题。

主权项

一种半导体器件的制造方法，具有对具备有机材料的掩模的试样进行等离子体处理的工序，其特征在于，上述等离子体处理包括：利用含有氟、氧、氮中的任意一种或全部的气体进行等离子体处理的第一工序；和利用不含有氟、氧、氮中任何一种而含有稀有气体的气体进行上述等离子体处理的第二工序，反复进行上述第一工序和上述第二工序。