使用选择性介质淀积的双极晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。

主权项

一种用于制造半导体结构的方法，包括以下步骤：使用位于半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模层注入横向连接至内部基极表面区域的外部基极区域，所述半导体衬底具有位于所述离子注入掩模层之下的所述内部基极表面区域和位于所述内部基极表面区域之下的集电极区域；在注入所述外部基极区域之后，在邻近所述离子注入掩模层的所述屏蔽介质层之上选择性地淀积垂直间隔物层；从所述屏蔽介质层剥离所述离子注入掩模层以在所述垂直间隔物层内产生孔，在所述孔的基底处暴露所述屏蔽介质层；去除在所述孔的所述基底处的所述屏蔽介质层；以及将发射极层形成到所述孔中并使所述发射极层接触所述内部基极表面区域。