| 发明名称 | 场发射器件阴极装置、其制造方法和含该装置的器件 | ||
| 摘要 | 本发明致力于金属化碳纳米管，用化学镀技术制作金属化碳纳米管的方法，将金属化碳纳米管撒布到衬底上的方法，以及对准磁活动的金属化碳纳米管的方法。本发明也致力于包括金属化碳纳米管的冷阴极场发射材料，以及将金属化碳纳米管用作冷阴极场发射器的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1732549B | 申请公布日期 | 2010.11.10 |
| 申请号 | CN03808249.7 | 申请日期 | 2003.04.11 |
| 申请人 | 毫微-专卖股份有限公司 | 发明人 | D·毛;Z·雅尼弗;R·L·菲因克 |
| 分类号 | H01J1/14(2006.01)I;H01J1/146(2006.01)I;H01J1/30(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;H01J19/06(2006.01)I;H01J9/00(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李家麟 |
| 主权项 | 一种适合作为场发射器件阴极的装置，它包括：a)一个衬底，b)由所述衬底承载的磁活动金属化碳纳米管，和c)纳米微粒。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||