| 主权项 |
一种用以保持光微影系统中的薄膜和光罩之间的光学间隙之装置，包含：一框，界定第一和第二相对表面，该第一相对表面界定第一开口并且被配置成与薄膜紧密配合，及该第二相对表面界定第二开口并且被配置成与光罩紧密配合以围住光罩和薄膜之间的光学间隙，其中该框的至少一边缘具有贯穿它的开口；及一多孔烧结材料，填满该框的该至少一边缘中之该开口，其中可净化光学间隙，其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第1项之装置，其中该多孔烧结材料经由该框的该至少一边缘过滤通过该光学间隙之气体。根据申请专利范围第1项之装置，另外包含：一气体供应介面，用以经由该多孔烧结材料注入净化气体到该光学间隙。根据申请专利范围第3项之装置，另外包含一真空源介面，用以自该光学间隙排出该净化气体。根据申请专利范围第4项之装置，其中该真空源介面经由该多孔烧结材料自该光学间隙排出该净化气体。根据申请专利范围第1项之装置，另外包含：一气体供应介面，用以经由该框注入净化气体，其中该气体供应介面包含位在该框边缘的孔，净化气体经由该孔进入该光学间隙。根据申请专利范围第1项之装置，其中该多孔烧结材料的形式是位在该框的该至少一边缘之该开口中的至少一嵌入。根据申请专利范围第1项之装置，其中该框的该至少一边缘之该开口是矩形。一种光微影系统，包含：一薄膜；一光罩，与该薄膜成一光学直线；一框，配置在该薄膜和该光罩之间以围住其间的间隙，其中该框的至少一边缘具有贯穿它的开口；及一多孔烧结材料，填满该框的该至少一边缘中之该开口，其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第9项之系统，另外包含：一气体供应介面，耦合于该框，用以经由该框注入净化气体到该间隙。根据申请专利范围第9项之系统，另外包含一真空源介面，耦合于该框，用以经由该框自该间隙排出该净化气体。根据申请专利范围第9项之系统，其中该多孔烧结材料的形式是位在该框的该至少一边缘之该开口中的至少一矩形嵌入。根据申请专利范围第9项之系统，其中该框的该至少一边缘之该开口是矩形。一种用以保持光微影系统中的净化薄膜到光罩间隙之方法，包含：(a)在光罩和薄膜之间的框内形成空气隙；(b)将多孔烧结材料嵌入定位到框的至少一边缘之开口中，其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)；及(c)经由框通过净化气体到空气隙。根据申请专利范围第14项之方法，其中步骤(a)包含以下步骤：(1)将薄膜装附于框的第一开口表面；及(2)将光罩装附于框的第二开口表面以在光罩和薄膜之间的框内形成空气隙。根据申请专利范围第14项之方法，另外包含以下步骤：(c)过滤通过具有位在框的至少一边缘之开口的多孔烧结材料嵌入之框的净化空气。一种用以保持光微影系统中的光学结构之间的光学间隙之装置，包含：一框，界定第一和第二相对表面，该第一相对表面界定第一开口及该第二相对表面界定第二开口；复数间隔构件，在该第一开口周围的该第一相对表面上被间隔开，并且具有被配置成与第一光学结构表面紧密配合之实质上共面表面；及一接合剂，密封该第一相对表面和第一光学结构之间的该第一开口周围之空间；其中该框围住第一光学结构和第二光学结构之间的光学间隙；该框包含一多孔烧结材料，及其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第17项之装置，其中该复数间隔构件与该框成一整体形成。根据申请专利范围第17项之装置，其中该复数间隔构件与该框分开形成。根据申请专利范围第17项之装置，其中该第一光学结构是光罩；及其中该第二光学结构是与该光罩成一光学直线之薄膜。根据申请专利范围第17项之装置，其中该第一光学结构是薄膜；及其中该第二光学结构是与该薄膜成一光学直线之光罩。根据申请专利范围第17项之装置，另外包含：第二复数间隔构件，在该第二开口周围的该第二相对表面上被间隔开，并且具有被配置成与第二光学结构表面紧密配合之实质上共面表面；及其中该接合剂密封该第二相对表面和第二光学结构之间的该第二开口周围之空间。根据申请专利范围第17项之装置，其中该框包含至少一金属。根据申请专利范围第17项之装置，其中该框包含玻璃。一种用以保持光微影系统中的光学结构之间的光学间隙之装置，包含：一框，界定第一和第二相对表面，该第一相对表面界定第一开口及该第二相对表面界定第二开口；一接合剂，密封该第一相对表面和第一光学结构之间的该第一开口周围之空间，该接合剂包括将第一光学结构与该第一相对表面保持在实质上统一距离之间隔物材料；及其中该框围住第一光学结构和第二光学结构之间的光学间隙；该框包含一多孔烧结材料，及其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第25项之装置，其中该第一光学结构是光罩；及其中该第二光学结构是与该光罩成一光学直线之薄膜。根据申请专利范围第25项之装置，其中该第一光学结构是薄膜；及其中该第二光学结构是与该薄膜成一光学直线之光罩。根据申请专利范围第25项之装置，其中该接合剂密封该第二相对表面和第二光学结构之间的该第二开口周围之空间，该接合剂的该间隔物材料将第二光学结构与该第二相对表面保持在实质上统一的距离。根据申请专利范围第25项之装置，其中该框包含至少一金属。根据申请专利范围第25项之装置，其中该框包含玻璃。根据申请专利范围第25项之装置，其中该间隔物材料包含复数球形间隔物。根据申请专利范围第25项之装置，其中该间隔物材料包含复数立方体形状的间隔物。一种光微影系统，包含：一照明源，用以传送辐射，其中该辐射包括至少一光波长；一光罩；一源光学，自该照明源导引该辐射到该光罩；一框，界定第一和第二相对表面，该第一相对表面界定第一开口及该第二相对表面界定第二开口；复数间隔构件，在该第一开口周围的该第一相对表面上被间隔开，并且具有被配置成与该光罩表面紧密配合之实质上共面表面；及一接合剂，密封该第一相对表面和该光罩之间的该第一开口周围之空间；一薄膜，耦合于该框的该第二相对表面；及一投影光学；其中该框围住该光罩和该薄膜之间的光学间隙；其中至少一部分该辐射通过该光罩、该光学间隙、和该薄膜；及其中该投影光学自该薄膜导引该至少一部分该辐射到晶圆表面；该框包含一多孔烧结材料，及其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第33项之系统，其中该复数间隔构件与该框成一整体形成。根据申请专利范围第33项之系统，其中该复数间隔构件与该框分开形成。根据申请专利范围第33项之系统，另外包含：第二复数间隔构件，在该第二开口周围的该第二相对表面上被间隔开，并且具有被配置成与该薄膜表面紧密配合之实质上共面表面；及其中该接合剂密封该第二相对表面和该薄膜之间的该第二开口周围之空间。根据申请专利范围第36项之系统，其中该第二复数间隔构件与该框成一整体形成。根据申请专利范围第36项之系统，其中该第二复数间隔构件与该框分开形成。一种光微影系统，包含：一照明源，用以传送辐射，其中该辐射包括至少一光波长；一光罩；一源光学，自该照明源导引该辐射到该光罩；一框，界定第一和第二相对表面，该第一相对表面界定第一开口及该第二相对表面界定第二开口；一接合剂，密封该第一相对表面和该光罩之间的该第一开口周围之空间，该接合剂包括将光罩与该第一相对表面保持在实质上统一距离之间隔物材料；一薄膜，耦合于该框的该第二相对表面；及一投影光学；其中该框围住该光罩和该薄膜之间的光学间隙；其中至少一部分该辐射通过该光罩、该光学间隙、和该薄膜；及其中该投影光学自该薄膜导引该至少一部分该辐射到晶圆表面；该框包含一多孔烧结材料，及其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第39项之系统，另外包含：其中该接合剂密封该第二相对表面和该薄膜之间的该第二开口周围之空间，该接合剂的该间隔物材料将薄膜与该第二相对表面保持在实质上统一的距离。根据申请专利范围第39项之系统，其中该间隔物材料包含复数球形间隔物。根据申请专利范围第39项之系统，其中该间隔物材料包含复数立方体形状的间隔物。一种用以形成光微影系统中的光学结构之间的光学间隙之方法，包含：(a)设置一界定第一和第二相对表面的框，第一相对表面界定第一开口和第二相对表面界定第二开口；及(b)将第一光学结构接合到框的第一相对表面上之间隔物结构；其中框围住第一光学结构和第二光学结构之间的光学间隙；该框包含一多孔烧结材料，及其中该多孔烧结材料包含烧结的殷钢(Invar)。根据申请专利范围第43项之方法，其中步骤(b)包含：涂敷接合剂以密封第一相对表面和第一光学结构之间的第一开口周围之空间。根据申请专利范围第43项之方法，其中间隔物结构包含复数间隔构件，另外包含：(c)将复数间隔构件装附于在第一开口周围间隔开之第一相对表面，其中被装附的复数间隔构件具有被配置成与第一光学结构表面紧密配合之实质上共面表面。根据申请专利范围第45项之方法，其中步骤(b)包含：将第一光学结构的表面与复数间隔构件的实质上共面表面紧密配合。根据申请专利范围第43项之方法，其中间隔物结构是包括在接合剂中的间隔物材料，其中步骤(b)包含：涂敷接合剂在第一相对表面上的第一开口周围。根据申请专利范围第47项之方法，其中步骤(b)包含：将第一光学结构涂敷到第一相对表面，使得接合剂将第一光学结构接合到第一相对表面，其中间隔物材料将第一光学结构与第一相对表面保持在实质上统一的距离。根据申请专利范围第43项之方法，另外包含：(c)将第二光学结构接合到框的第二相对表面上之第二间隔物结构。根据申请专利范围第49项之方法，其中步骤(c)包含：涂敷接合剂以密封第二相对表面和第二光学结构之间的第二开口周围之空间。根据申请专利范围第49项之方法，其中第二间隔物结构包含第二复数间隔构件，另外包含：(d)将第二复数间隔构件装附于在第二开口周围间隔开之第二相对表面，其中被装附的第二复数间隔构件具有被配置成与第二光学结构表面紧密配合之实质上共面表面。根据申请专利范围第51项之方法，其中步骤(c)包含：将第二光学结构的表面与第二复数间隔构件的实质上共面表面紧密配合。根据申请专利范围第49项之方法，其中第二间隔物结构是包括在接合剂中的间隔物材料，其中步骤(c)包含：涂敷接合剂在第二相对表面上的第二开口周围。根据申请专利范围第43项之方法，其中步骤(c)包含：将第二光学结构涂敷到第二相对表面，使得接合剂将第二光学结构接合到第二相对表面，其中间隔物材料将第二光学结构与第二相对表面保持在实质上统一的距离。根据申请专利范围第43项之方法，其中第一光学结构是薄膜和第二光学结构是光罩，其中步骤(b)包含：将薄膜接合到第一相对表面。根据申请专利范围第43项之方法，其中第一光学结构是光罩和第二光学结构是薄膜，其中步骤(b)包含：将光罩接合到第一相对表面。 |
