发明名称 |
具有应变通道之电晶体 |
摘要 |
本发明提供一种半导体元件,像是P通道金属-氧化物-半导体场效应电晶体或N通道金属-氧化物-半导体场效应电晶体,其具有应变通道区域,藉由形成一闸极堆叠后,在源极区域及汲极区域形成凹进区来形成此半导体元件。接着,去除此闸极堆叠下的基板,然后,在此闸极堆叠下的源极区域及汲极区域中形成一磊晶层。在源极区域及汲极区域中之此磊晶层可被掺杂。在一实施例中,在此闸极堆叠下之磊晶层较低的部份被掺杂,其传导类型与源极区域及汲极区域之传导类型相反。在另一实施例中,此磊晶层未被掺杂。 |
申请公布号 |
TWI357626 |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
TW097102572 |
申请日期 |
2008.01.23 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
游明华;黄泰钧 |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/10 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |