具有测试电路之半导体记忆体装置

摘要

一种包括可减少测试时间的一测试电路之半导体记忆体装置，其包括一测试电路，其在该半导体记忆体装置之备用状态中产生漏电流，以响应一测试模式信号以及一提供该半导体记忆体装置的备用状态资讯的备用信号。

主权项

一种半导体记忆体装置，其包含一测试电路，其系配置在备用状态之该半导体记忆体装置中响应一测试模式信号与一备用信号产生一漏电流，其中该备用信号可提供该半导体记忆体装置的备用状态资讯，其中该测试电路包含：一电流吸入源致能信号产生单元，其系配置成接收该测试模式信号及该备用信号，并产生一电流吸入源致能信号；及一电流吸入源单元，其系耦合至该电流吸入源致能信号产生单元，该电流吸入源单元系配置成响应该启动的电流吸入源致能信号，藉由汲入电流以产生该漏电流。如申请专利范围第1项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源致能信号产生单元系配置成响应该启动的测试模式信号与该启动的备用信号，以产生该电流吸入源致能信号。如申请专利范围第1项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源单元系配置成响应该启动的电流吸入源致能信号，藉由汲入从一外部供应电压至一接地电压的电流，以允许直通电流流动。如申请专利范围第1项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源单元包含：一缓冲器，用于缓冲该电流吸入源致能信号；及一电流驱动器，其系耦合至该缓冲器，该电流驱动器系配置成响应该缓冲器的一输出信号，以驱动一直通电流。如申请专利范围第1项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源单元包含：一电流控制器，其系配置成响应该启动的电流吸入源致能信号以启动；及一电流调整器，其系耦合至该电流控制器，该电流调整器包含：复数个驱动装置，其系连接该电流控制器的一输出端；及该电流调整器，其系配置成调整与一定数量之导通驱动装置成比例之漏电流量。如申请专利范围第1项之半导体记忆体装置，其进一步包含一备用信号产生单元，用以产生该备用信号，其中该备用信号产生单元包含：复数个触排现用信号产生器，其系分别各自对应至一触排，该触排现用信号产生器系配置成响应一现用命令，以提供一启动的触排现用信号；一触排现用信号组合器，其系耦合至复数个触排现用信号产生器，该触排现用信号组合器系配置成组合每一触排的触排现用信号，并提供一晶片现用信号，该晶片现用信号系配置成代表该半导体记忆体装置的现用状态资讯；及一反相器，其系耦合至该触排现用信号组合器，该反相器系配置成藉由反相该晶片现用信号以提供该备用信号。如申请专利范围第6项之半导体记忆体装置，其中每一触排现用信号产生器系配置成接收一现用信号与一预充电信号；并响应该启动的现用信号及该预充电信号以提供一对应触排之启动的触排现用信号。如申请专利范围第6项之半导体记忆体装置，其中该触排现用信号组合器系配置成依据从复数个触排现用信号产生器之至少一者接收该启动的触排现用信号，以提供一第一位准的输出信号；且依据从复数个触排现用信号产生器之任一者接收一解除启动的触排现用信号，以提供一第二位准的输出信号。如申请专利范围第8项之半导体记忆体装置，其中该反相器系配置成接收该第一位准的输出信号，反相该第一位准的输出信号，及输出用以解除启动该备用信号之第二位准的输出信号，及接收该第二位准的输出信号，反相该第二位准的输出信号，及提供用以启动该备用信号之第一位准的输出信号。一种半导体记忆体装置，其包含：一测试电路，其系配置成当一测试模式处于启动，且该半导体记忆体装置处于一备用状态时，在现用状态中产生漏电流，其系等于该半导体记忆体装置的一工作电流，其中该测试电路包含：一电流吸入源致能信号产生单元，系配置成接收一测试模式信号与一备用信号，并产生一电流吸入源致能信号；及一电流吸入源单元，其系耦合至该电流吸入源致能信号产生单元，该电流吸入源单元系配置成响应该启动的电流吸入源致能信号，藉由汲入电流以产生该漏电流。如申请专利范围第10项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源致能信号产生单元系配置成响应该启动的测试模式信号与该启动的备用信号，以产生该电流吸入源致能信号。如申请专利范围第10项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源单元系配置成响应该启动的电流吸入源致能信号，藉由从外部供应电压至接地电压汲入该电流，以允许直通电流流动。如申请专利范围第10项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源单元包含：一缓冲器，其系配置成缓冲该电流吸入源致能信号；及一电流驱动器，其系耦合至该缓冲器，该电流驱动器系配置成响应该缓冲器的一输出信号，以驱动一直通电流。如申请专利范围第10项之半导体记忆体装置，其中该电流吸入源单元包含：一电流控制器，其系配置成响应该启动的电流吸入源致能信号以启动；及一电流调整器，其系耦合该电流控制器，该电流调整器系配置成包括复数个驱动装置，其系连接该电流控制器的一输出端，且藉此调整与一定数量之导通驱动装置成比例的漏电流量。如申请专利范围第10项之半导体记忆体装置，其进一步包含一备用信号产生单元，用以产生该备用信号，其中该备用信号产生单元包含：复数个触排现用信号产生器，其每一者系对应至一触排，该触排现用信号产生器系配置成响应一现用命令以提供一启动的触排现用信号；一触排现用信号组合器，其系耦合至复数个触排现用信号产生器，该触排现用信号组合器系配置成组合每一触排的触排现用信号，并提供一晶片现用信号，该晶片现用信号系配置成代表该半导体记忆体装置的现用状态资讯；及一反相器，其系耦合至该触排现用信号组合器，该反相器系配置成藉由反相该晶片现用信号以提供备用信号。如申请专利范围第15项之半导体记忆体装置，其中每一触排现用信号产生器系配置成接收一现用信号与一预充电信号，并响应该启动的现用信号及该预充电信号以提供一对应触排之启动的触排现用信号。如申请专利范围第15项之半导体记忆体装置，其中该触排现用信号组合器系配置成依据接收一启动的触排现用信号，提供一第一位准的输出信号，且依据接收来自该等触排现用信号产生器之每一者的解除启动触排现用信号，以提供一第二位准的输出信号。如申请专利范围第17项之半导体记忆体装置，其中该反相器系配置成接收该第一位准的输出信号，反相该第一位准的输出信号，及输出用以解除启动该备用信号之第二位准的输出信号，及接收该第二位准的输出信号，反相该第二位准的输出信号，及提供用以启动该备用信号之第一位准的输出信号。