发明名称 发光二极体及其制程
摘要 一种发光二极体及其制程,包含下列步骤:在一基板形成一上、一下电极层,及多数个贯穿并分别在该上、下电极层形成上、下开口的孔洞,再对该上、下电极层蚀刻以形成多数条分别具有该等上、下开口的上、下电极部,及多数条上、下蚀刻部,并在每一孔洞的内周壁面形成一与该上、下电极部电连接的连接电极部,并形成封闭每一上开口的第一阻隔层及位于第一阻隔层上的第二阻隔层,最后在二上电极部间设置发光二极体晶片并形成一覆盖层,经切割后就制得发光二极体。透过该制程可提升基板利用率,并能进行二次成型以增进发光二极体发光强度。
申请公布号 TWI404242 申请公布日期 2013.08.01
申请号 TW098140393 申请日期 2009.11.26
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 林昇柏;张超雄;曾文良
分类号 H01L33/62 主分类号 H01L33/62
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号