发明名称 太阳能电池吸收层之制造方法与结构
摘要 揭示一种太阳能电池吸收层之制造方法与结构。依照该方法,提供一太阳能电池基板,并在太阳能电池基板上依序以印刷方式形成富铜之一第一涂层与缺铜之一第二涂层。进行一硒化热处理,以烧结第一涂层与第二涂层,进而生成致密且晶粒大之一铜铟镓硒薄膜。由于第一涂层相对于第二涂层具有较低之熔点,使得第一涂层先行生成液相,藉由液相烧结来降低束缚烧结之内应力,进而使得太阳能电池之转换率提升。此外,以浆料涂布制程取代真空制程,除了能提升产量,更降低生产成本。
申请公布号 TWI406431 申请公布日期 2013.08.21
申请号 TW098136748 申请日期 2009.10.29
申请人 伯鑫科技有限公司 台南市南区安平工业区新义南路30号 发明人 吴秋相
分类号 H01L31/18;H01L31/0216 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人 许庆祥 高雄市苓雅区新光路24巷31号
主权项
地址 台南市南区安平工业区新义南路30号