发明名称 |
Structure of resistor with the resistance dependable on the applied voltage and method generating it |
摘要 |
<p>Sposób wytwarzania struktury rezystora o rezystancji zależnej od przyłożonego napięcia polega na tym, że na nieprzewodzące podłoże (3) nanosi się warstwę węglowo-palladową (1) w procesie fizycznego osadzania z fazy gazowej PVD, poprzez odparowanie fulerenu i octanu palladu w próżni. Na warstwie węglowo-palladowej (1) napyla się są elektrody tytanowe (2). Tak wytworzona struktura składa się z nieprzewodzącego podłoża (3) z naniesioną warstwą węglowo-palladową (1), na której napylone są elektrody tytanowe (2). Według odmiany sposobu na nieprzewodzące podłoże (3) napyla się elektrody tytanowe (2), a następnie nanosi się w procesie PVD warstwę węglowo-palladową (1). Tak wytworzona struktura składa się z nieprzewodzącego podłoża (3) z napylonymi elektrodami tytanowymi (2), na których naniesiona jest warstwa węglowo-palladowa (1).</p> |
申请公布号 |
PL406003(A1) |
申请公布日期 |
2015.05.25 |
申请号 |
PL20130406003 |
申请日期 |
2013.11.12 |
申请人 |
INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY |
发明人 |
KRAWCZYK S&Lstrok,AWOMIR;KAMI&Nacute,SKA ANNA;CZERWOSZ EL&Zdot,BIETA;WRONKA HALINA |
分类号 |
H01C7/10;H01L27/01 |
主分类号 |
H01C7/10 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|