发明名称 Structure of resistor with the resistance dependable on the applied voltage and method generating it
摘要 <p>Sposób wytwarzania struktury rezystora o rezystancji zależnej od przyłożonego napięcia polega na tym, że na nieprzewodzące podłoże (3) nanosi się warstwę węglowo-palladową (1) w procesie fizycznego osadzania z fazy gazowej PVD, poprzez odparowanie fulerenu i octanu palladu w próżni. Na warstwie węglowo-palladowej (1) napyla się są elektrody tytanowe (2). Tak wytworzona struktura składa się z nieprzewodzącego podłoża (3) z naniesioną warstwą węglowo-palladową (1), na której napylone są elektrody tytanowe (2). Według odmiany sposobu na nieprzewodzące podłoże (3) napyla się elektrody tytanowe (2), a następnie nanosi się w procesie PVD warstwę węglowo-palladową (1). Tak wytworzona struktura składa się z nieprzewodzącego podłoża (3) z napylonymi elektrodami tytanowymi (2), na których naniesiona jest warstwa węglowo-palladowa (1).</p>
申请公布号 PL406003(A1) 申请公布日期 2015.05.25
申请号 PL20130406003 申请日期 2013.11.12
申请人 INSTYTUT TELE- I RADIOTECHNICZNY 发明人 KRAWCZYK S&Lstrok,AWOMIR;KAMI&Nacute,SKA ANNA;CZERWOSZ EL&Zdot,BIETA;WRONKA HALINA
分类号 H01C7/10;H01L27/01 主分类号 H01C7/10
代理机构 代理人
主权项
地址