一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法

摘要

本发明提供了一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法。利用MOCVD设备，将激光器放入反应室中，反应室升温至200℃～350℃时通AsH₃，当温度达到400℃时再通入二甲基锌进行腔面扩散，当温度升至450℃～650℃保持20min～70min，在15min～30min内降温至150℃～300℃进行退火；当反应室温度下降至100℃以下时，Zn扩散完毕。本发明的方法Zn扩散均匀、易于控制并且产能较大，一次可以完成数十片激光器Zn扩散，并且进行Zn扩散制作非吸收窗口的激光器输出功率比闭管扩Zn的激光器功率提高10％。

主权项

一种对AlGaInP/GaInP红光半导体激光器进行Zn扩散的方法，所述的红光半导体激光器结构包括GaAs衬底，GaAs缓冲层，n‑型限制层，N区本征波导层，多量子阱有源区，P区本征波导层，p‑型限制层，GaInP，p‑型GaAs欧姆接触层，氧化硅绝缘层，P面电极，在平行于激光器腔面方向光刻并腐蚀部分氧化硅绝缘层，露出的激光器腔面即为Zn扩散区域；步骤如下：（1）将所述激光器放入MOCVD反应室中，将反应室升温至200℃～350℃时，通入100sccm～200sccm的AsH₃；继续升温， （2）当反应室温度达到400℃时再通入5sccm～40sccm的二甲基锌进行腔面扩散，升温至450℃～650℃保持恒温20min～70min，期间保持 AsH₃通入不变，二甲基锌通入采用间隔5－10min的断续通入方式；Zn扩散的工艺条件如下：反应室压力：250~650mbar，扩散温度：400~650℃，背景H₂流量：150－500 sccm，有机金属源DMZn温度：10‑28℃，有机金属源为99.9999%的高纯DMZn，AsH₃气体是为99.9995%的高纯AsH₃，载气优选99.999%的高纯氢气经纯化器纯化为99.9999999%的超高纯氢气；然后，（3）将反应室温度在15min～30min内下降至150℃～300℃进行退火；当温度下降至200℃时停止通入二甲基锌和AsH₃；（4）当反应室温度下降至100℃以下时，Zn扩散完毕。