二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其应用

摘要

本发明属于有机半导体材料领域，具体的是涉及二硒吩并苯并二茚类共轭聚合物半导体材料及其在光电器件中的应用，其结构通式如通式I所示：其中，R是H、C₁～C₂₀的烷基或烷氧基，n为聚合度，为2～100的任一整数，本发明进一步提供上述共轭聚合物材料在有机太阳能电池器件、有机光电材料、有机场效应晶体管器件、有机电致发光器件、有机光存储器件、有机激光器件中的应用，所得共轭聚合物材料具有可控的能级结构、可调的帯隙、宽的光谱吸收范围和高空穴迁移率的优点。

主权项

基于二硒吩并苯并二茚衍生物的共轭聚合物材料的制备方法，其特征在于在无水无氧条件下，将单体M₁和单体A溶于溶剂中，在温度为90‑110℃及有机钯催化剂条件下进行Stille反应48小时，得到共轭聚合物材料，反应式表示为：其中,n为聚合度，为2～100的任一整数，A是如下结构中的一种：式中，A单元结构中R₇、R₈、R₉、R₁₀、R₁₁、R₁₂、R₁₅、R₁₆、R₂₁、R₂₂、R₂₃、R₂₄、R₂₅、R₂₆、R₂₇、R₂₈、R₂₉、R₃₀、R₃₁、R₃₂、R₃₃、R₃₄、R₃₇、R₃₈选自H、C₁～C₂₀的烷基或烷氧基；R₁₃、R₁₄、R₁₇、R₁₈、R₁₉、R₂₀、R₃₅、R₃₆、R₃₉选自C₁～C₂₀的烷基或烷氧基；m为重复单元数，m＝1～20的任一整数；Y选自H、F中任一种原子；所述的单体M₁的合成路线如下：