发明名称 GaAs polycrystalline synthesis apparatus and method
摘要 <p>본 발명은 갈륨비소 다결정체 합성 장치 및 방법에 관한 것으로서, 비소(As) 저장 공간과 갈륨(Ga) 저장 공간을 포함하며, 길게 형성된 석영관; 상기 석영관이 설치될 공간을 제공하며, 액체상태의 갈륨과 기체상태의 비소가 화학반응을 일으키도록 내부 온도를 유지시키는 상부 성장로; 상기 상부 성장로의 하부에 설치되며, 상기 석영관이 설치될 공간을 제공하며, 비소(As)가 승화될 수 있도록 내부 온도를 유지시키는 하부 성장로; 상기 석영관의 하단부는 상기 하부 성장로 내부에 배치되도록 하고, 상기 석영관의 상단부는 상기 상부 성장로에 배치되도록 상기 석영관을 지지하는 석영관 지지유닛; 상기 갈륨(Ga)이 장입될 공간을 제공하며, 상기 석영관의 상단부에 내부에 배치되는 PBN 도가니; 및 상기 상부 성장로 및 하부 성장로의 동작을 제어하는 제어 유닛을 포함하는 갈륨비소 다결정체 합성 장치 및 방법이 제공된다.</p>
申请公布号 KR101555992(B1) 申请公布日期 2015.09.30
申请号 KR20140145297 申请日期 2014.10.24
申请人 发明人
分类号 C30B11/00;C30B29/42 主分类号 C30B11/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利