| 摘要 |
<p>本発明は、細分化されて複数のダイへと分離可能なウェハ（１００）に関する。各ダイ（１１０）は、容量性マイクロマシントランスデューサセル（１）のアレイを有する。各セルは、第１の電極（１１）を有する基板（１０）と、第２の電極（１４）を有するメンブレン（１３）と、基板（１０）とメンブレン（１３）との間のキャビティ（１２）とを有する。ダイ（１１０）のうちの少なくとも一部のダイの各セル（１）は、メンブレン（１３）の上に補償プレート（１５）を有し、各補償プレート（１５）は、メンブレン（１３）の撓り（ｈ）に影響を及ぼす構成を有する。補償プレート（１５）の構成は、ウェハ（１００）にわたって変化している。本発明は更に、このようなウェハを製造する方法、及びこのようなダイを製造する方法に関する。</p> |
