| 发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体集成电路装置，其包括：电路模块，形成在半导体衬底上；导电图案，形成在所述电路模块的要被保护的部分的上层中；振荡电路，与所述导电图案连接，并且被配置为以由所述导电图案的电路常数确定的振荡频率振荡；以及检测电路，被配置为确定预设范围是否包括所述振荡电路的所述振荡频率。 | ||
| 申请公布号 | CN102404002B | 申请公布日期 | 2015.09.23 |
| 申请号 | CN201110251651.4 | 申请日期 | 2011.08.30 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 大村昌伸 |
| 分类号 | H03L7/099(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/099(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 欧阳帆 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路装置，包括：电路模块，形成在半导体衬底上；导电图案，覆盖所述电路模块的要被保护的部分；振荡电路，与所述导电图案连接，并且被配置为以由所述导电图案的电路常数确定的振荡频率振荡；以及检测电路，形成在所述半导体衬底上，被配置为确定预设范围是否包括所述振荡电路的所述振荡频率，并被配置为在确定所述预设范围不包括所述振荡频率的情况下则检测到所述导电图案已经被改变。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||