发明名称 |
半导体器件制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底中形成第一浅沟槽隔离;在第一浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构;去除第一浅沟槽隔离,在衬底中留下浅沟槽;在浅沟槽中填充绝缘材料,形成第二浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法,形成高应力浅沟槽隔离之后,通过刻蚀去除然而再回填高应力浅沟槽隔离,使得高应力由栅极记忆而增强了沟道区应力,从而提高了未来沟道区的载流子迁移率,提高了器件性能。 |
申请公布号 |
CN103367227B |
申请公布日期 |
2015.09.23 |
申请号 |
CN201210088770.7 |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
尹海洲;蒋葳 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
一种半导体器件制造方法,包括步骤:在衬底中形成第一浅沟槽隔离;在第一浅沟槽隔离包围的有源区内形成半导体器件结构;去除第一浅沟槽隔离,在衬底中留下浅沟槽;在浅沟槽中填充绝缘材料,形成第二浅沟槽隔离;其中,去除第一浅沟槽隔离的步骤进一步包括:在衬底、第一浅沟槽隔离以及半导体器件结构上沉积层间介质层;刻蚀层间介质层形成开口,暴露第一浅沟槽隔离;刻蚀第一浅沟槽隔离,直至暴露衬底,形成浅沟槽。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3# |