ALD机台腔体的净化方法

摘要

本发明的ALD机台腔体的净化方法，包括：提供晶圆，向所述机台腔体内通入六氯乙硅烷，在所述晶圆上进行原子层沉积工艺；对所述机台腔体进行降压升温；向所述机台腔体同时通入氢气和氧气。本发明中，向机台腔体中同时通入氢气和氧气，使得进行原子沉积的过程中未充分反应的六氯乙硅烷与氢气和氧气反应，反应生成物在相对较低的压强下随气流带至机台腔体外，使得六氯乙硅烷不会与空气中的水汽反应生成硅和二氧化硅的副产物留在机台腔体中，影响机台性能，从而避免机台中的残留物对原子层沉积过程的影响。

主权项

一种ALD机台腔体的净化方法，其特征在于，包括：提供晶圆，向所述机台腔体内通入六氯乙硅烷，在所述晶圆上进行原子层沉积工艺；对所述机台腔体进行降压升温；向所述机台腔体同时通入氢气和氧气。