光半导体元件

摘要

实施形态提供一种结晶缺陷之影响经抑制之高效率之光半导体元件。;实施形态之光半导体元件包含第1导电型之第1氮化物半导体层、第2导电型之第2氮化物半导体层、及设置于上述第1氮化物半导体层与上述第2氮化物半导体层之间之活性层。上述光半导体元件具有凹坑，该凹坑于上述活性层中具有始点，且沿自上述始点朝向上述第2氮化物半导体层之第1方向扩展。