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经营范围
发明名称
导电薄膜的制法
摘要
申请公布号
TWI500050
申请公布日期
2015.09.11
申请号
TW100106318
申请日期
2011.02.25
申请人
国立台湾大学
发明人
林清富;林明勋
分类号
H01B5/14
主分类号
H01B5/14
代理机构
代理人
陈达仁 台北市中山区长春路156号5楼
主权项
一种导电薄膜的制造方法,该导电薄膜作为一电极,该制造方法包含:提供一基板;以一溶液法形成一第一金属氧化物层在该基板上;以一非溶液法或该溶液法形成一金属层于该第一金属氧化物层上;以该溶液法形成一第二金属氧化物层于该金属层上;其中该第一金属氧化物层和该第二金属氧化物层的材质包含氧化锌、氧化钛、氧化钒、氧化镍、氧化钼、氧化铜、氧化银,或氧化钨。
地址
台北市大安区罗斯福路4段1号
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