发明名称 导电薄膜的制法
摘要
申请公布号 TWI500050 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW100106318 申请日期 2011.02.25
申请人 国立台湾大学 发明人 林清富;林明勋
分类号 H01B5/14 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区长春路156号5楼
主权项 一种导电薄膜的制造方法,该导电薄膜作为一电极,该制造方法包含:提供一基板;以一溶液法形成一第一金属氧化物层在该基板上;以一非溶液法或该溶液法形成一金属层于该第一金属氧化物层上;以该溶液法形成一第二金属氧化物层于该金属层上;其中该第一金属氧化物层和该第二金属氧化物层的材质包含氧化锌、氧化钛、氧化钒、氧化镍、氧化钼、氧化铜、氧化银,或氧化钨。
地址 台北市大安区罗斯福路4段1号