发明名称 |
一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法。该器件由半导体非线性单元和磁性单元复合制得。半导体的非线性形成一个快速的高低阻态转变的电阻变化,磁性单元中的反常霍尔效应使得这个高低阻态变化偏移,因此在特定的电流区间内,可以得到异常巨大的磁阻(>10<sup>4</sup>%)。另一方面,磁性薄膜材料的反常霍尔效应对小磁场(~mT)很敏感,所以该器件可以在很小的磁场下产生巨大的磁阻,磁灵敏度超过10<sup>5</sup>%/mT。该器件还具有特殊的磁电对称性,可以用来实现可编程的磁电逻辑运算。该器件价格低廉,制备工艺简单,是一种优异的磁传感器件,在未来的磁电子工业技术领域具有重大的潜在应用。 |
申请公布号 |
CN104900803A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510284569.X |
申请日期 |
2015.05.28 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
章晓中;罗昭初;熊成悦;郭振刚;陈娇娇 |
分类号 |
H01L43/12(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
朱琨 |
主权项 |
一种非线性增强磁阻的磁传感器件,其特征在于,由磁性材料单元和半导体非线性单元复合制得;所述磁性材料单元有4个电极,其中2个用于连接电流源,另外2个连接电压表;磁性材料单元与半导体非线性单元按照一定顺序连接。 |
地址 |
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