发明名称 |
太阳能电池 |
摘要 |
一种太阳能电池(100),具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。 |
申请公布号 |
CN102422434B |
申请公布日期 |
2015.09.02 |
申请号 |
CN201080018626.5 |
申请日期 |
2010.02.26 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
高滨豪;小野雅义;森博幸;村上洋平 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种太阳能电池,其特征在于,具备:半导体衬底;形成于所述半导体衬底的一主面上的第一区域上,且具有第一导电类型的第一半导体层;和形成于所述半导体衬底的所述一主面上的第二区域上,且具有第二导电类型的第二半导体层,所述第二半导体层从所述第二区域上跨越到所述第一半导体层上而形成,所述太阳能电池在所述第一区域上,具有插入所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的复合层,该太阳能电池还具备:在所述第一区域上,形成于所述第一半导体层上的第一电极;和在所述第二区域上,形成于所述第二半导体层上的第二电极,所述第一电极经由所述第二半导体层以及所述复合层与所述第一半导体层连接,将所述第一电极和所述第二电极都设置在所述第二半导体层上,所述复合层由与所述第二半导体层相同的半导体构成,所述复合层中含有的掺杂剂量多于所述第二半导体层中含有的掺杂剂量。 |
地址 |
日本大阪府 |