形成半导体基板中一或多个经覆盖空隙之方法及形成绝缘体上半导体基板之方法;METHODS OF FORMING ONE OR MORE COVERED VOIDS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATES

摘要

本发明之一些实施例包括形成半导体构造内空隙之方法。在一些实施例中，可将该等空隙用作用于分配冷却剂、用于导引电磁辐射或用于材料之分离及/或特征化的微观结构。一些实施例包括其中具有微观结构之构造，该等微观结构系对应于空隙、导管、绝缘结构、半导体结构或导电结构。