发明名称 |
SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT |
摘要 |
【課題】光取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供する。【解決手段】第1導電形の第1半導体層10と、第2導電形の第2半導体層20と、第1半導体層の第1領域と第2半導体層との間に設けられた発光層30と、第1半導体層の第2領域12において第1半導体層と接する第1電極50と、第2半導体層の発光層とは反対側で第2半導体層と接する第2電極60と、第2半導体層の発光層とは反対側に設けられ第1電極と導通する支持基板70と、第1電極と発光層との間、第1電極と第2半導体層との間、第1電極と第2電極との間、及び、第2電極と支持基板との間に設けられた絶縁層40と、支持基板と第1電極との間、及び、絶縁層と支持基板との間に設けられた金属部53と、中間金属層であって、絶縁層と金属部との間の領域と、第1電極と金属部との間の領域と、を含む中間金属層と、を備えた半導体発光素子。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2015156498(A) |
申请公布日期 |
2015.08.27 |
申请号 |
JP20150072412 |
申请日期 |
2015.03.31 |
申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
KATSUNO HIROSHI;OBA YASUO;MIKI SATOSHI;YAMADA SHINJI;KUSHIBE MITSUHIRO;KANEKO KATSURA |
分类号 |
H01L33/62;H01L33/32 |
主分类号 |
H01L33/62 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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