| 发明名称 | 一种功率型LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种功率型LED芯片，包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极，所述GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极分别依次设置于衬底上，所述欧姆电极包括P型电极和N型电极，所述N型GaN层远离衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述多量子阱发光层设置于第一表面上，所述P型电极设置于P型GaN层远离衬底的一面，所述N型电极设置于第二表面上，所述衬底的材质为Si。本实用新型的功率型LED芯片具有成本低、热导率高、可靠性高和取光效率高的有益效果。 | ||
| 申请公布号 | CN204577453U | 申请公布日期 | 2015.08.19 |
| 申请号 | CN201520219576.7 | 申请日期 | 2015.04.13 |
| 申请人 | 厦门市晶田电子有限公司 | 发明人 | 刘兴华 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人 | 张明 |
| 主权项 | 一种功率型LED芯片，其特征在于，包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极，所述GaN缓冲层、N型GaN层、多量子阱发光层、P型GaN层和欧姆电极分别依次设置于衬底上，所述欧姆电极包括P型电极和N型电极，所述N型GaN层远离衬底的一面包括第一表面和第二表面，所述多量子阱发光层设置于第一表面上，所述P型电极设置于P型GaN层远离衬底的一面，所述N型电极设置于第二表面上，所述衬底的材质为Si。 | ||
| 地址 | 361000 福建省厦门市集美区天安路106-110号B栋6楼 | ||