用于评价OPC效果的测试结构

摘要

本发明公开了一种用于评价CMOS多晶硅层OPC效果的测试结构，该结构包括2N个CMOS器件，根据设定尺寸采用相应的一套包括OPC过程的CMOS半导体工艺生产，将N个CMOS器件作为一组阵列，该阵列因布图方式不同而分为2组，一组作为检验组，另一组作为参照组；检验组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距等于e；参照组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距大于等于2e；e为该套CMOS半导体工艺设计规则中的L形多晶硅距离同一MOS的单晶硅有源区的最小距离。本发明还公开了一种用于评价CMOS单晶硅有源区层OPC效果的测试结构。本发明的测试结构，能直观的根据器件电学特性数据检验OPC是否已经消除了角部圆角化效应对器件特性的影响。

主权项

一种用于评价CMOS多晶硅层OPC效果的测试结构，所述测试结构包括2*N个CMOS器件，N为大于等于3的整数，根据设定尺寸采用相应的一套包括OPC过程的CMOS半导体工艺生产，其特征在于，所述2*N个CMOS器件中的N个CMOS器件作为检验组；所述2*N个CMOS器件中的N个CMOS器件作为参照组；所述检验组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距等于e；所述参照组中的CMOS器件,其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距大于等于2e；e为该套CMOS半导体工艺设计规则中的L形多晶硅距离同一MOS的单晶硅有源区的最小距离。